Publicación:
Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices

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Fecha
2016-02
Autores
Briceño Melendez, Carolina Paola
Título de la revista
Revista ISSN
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Editor
Technische Universitat ILMENAU
Proyectos de investigación
Unidades organizativas
Número de la revista
Abstracto
En el presente trabajo de investigación se ha estudiado propiedades estequiometrias, estructurales y de emisión de luz de semiconductor de amplio ancho de banda dopados con terbio. La difracción de rayos-X en ángulo rasante confirma el estado amorfo de las películas. Los espectros de absorción infrarroja muestran la formación de óxidos en las películas y la espectroscopia de foto-electrones de rayos-X revela la formación de oxinitruro de aluminio y oxicarburo de silicio. Las películas han sido calentadas a temperaturas en el rango de 300 °C a 1000 °C en un horno de rápido procesamiento térmico. De acuerdo con el análisis de las medidas de fotoluminiscencia, la intensidad más alta de emisión de luz del terbio es para películas que tengan concentraciones de terbio mayores al 1at% y a una temperatura de tratamiento térmico de alrededor de 400 °C. Adicionalmente, las películas analizadas han sido usado como capas activas para el diseño de dispositivos electroluminiscentes.
Descripción
Palabras clave
Temperatura
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