Por favor, utiliza este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/20.500.12390/247
Campo DCValorIdioma
dc.contributor.advisorGuerra Torres, Jorge Andréses_PE
dc.contributor.authorAngulo Abanto, José Rubénes_PE
dc.date.accessioned2017-03-13T14:42:06Z-
dc.date.available2017-03-13T14:42:06Z-
dc.date.issued2016-02-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.12390/247-
dc.identifier.urihttp://tesis.pucp.edu.pe/repositorio/handle/123456789/7000-
dc.description.abstractEn la presente tesis se revisan los diferentes modelos que describen la absorción fundamental de los semiconductores amorfos. Estos modelos hacen uso de la densidad de estados electrónicos para la forma del coeficiente de absorción en la región fundamental de absorción. El estudio se centra en la absorción óptica de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H), carburo de silicio hidrogenado y sin hidrogeno amorfo a- SiC:Hx y nitruro de silicio amorfo a-SiN. Se obtuvieron parámetros como el Tauc-gap y la energía Urbach. Luego, se probó un modelo propuesto recientemente que considera las fluctuaciones térmicas de la banda. Este modelo permite determinar la brecha de los bordes de movilidad y la energía Urbach aplicando un solo ajuste del coeficiente de absorción sin la necesidad de la identificación de la región Tauc y Urbach de antemano. Además, es capaz de discriminar la variación de la energía de Urbach en banda prohibida. Los resultados permiten la evaluación de los parámetros antes mencionados, con el recocido de los tratamientos a diferentes temperaturas. Tomando ventaja que los bordes de movilidad deben permanecer insensible al desorden estructural (al menos en un grado menor que la energía Urbach) este trabajo demuestra que es posible obtener el borde movilidad a través de este modelo. Además, la medida Tauc-gap y la energía Urbach mostraron una fuerte conexión reproduciendo la relación lineal de Cody para los tres materiales. Por último, el concepto del foco Urbach se evalúa y se estima por diferentes análisis como son: ajuste global, relación lineal de Cody, análisis de Orapunt y nuestra aproximación.es_ES
dc.description.sponsorshipFondo Nacional de Desarrollo Científico y Tecnológico - Fondecytes_ES
dc.description.uriTesises_ES
dc.formatapplication/pdfes_ES
dc.language.isoEnges_ES
dc.publisherPontificia Universidad Católica del Perúes_ES
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/-
dc.sourceConsejo Nacional de Ciencia, Tecnología e Innovación Tecnológica – Concyteces_ES
dc.sourceRepositorio institucional – Concyteces_ES
dc.subjectSemiconductores_ES
dc.subjectmetales_ES
dc.titleOn the fundamental absorption of amorphous semiconductorses_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesises_ES
thesis.degree.nameMagíster en Ingeniería y Ciencia de los Materialeses_ES
thesis.degree.levelMaestríaes_ES
thesis.degree.disciplineIngeniería de los Materialeses_ES
thesis.degree.grantorPontificia Universidad Católica del Perú. Escuela de Posgradoes_ES
dc.subject.ocdeRecubrimientos y películases_ES
item.fulltextCon texto completo-
item.grantfulltextopen-
item.languageiso639-1other-
Procedencia:Tesis de maestría
Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción TamañoFormato
2016_Angulo_fundamental-absorption-amorphous.pdf14,21 MBAdobe PDF  Visualizar / Abrir
Registro simplificado

Google ScholarTM

Check


Este ítem está sujeto a una licencia Creative Commons Licencia Creative Commons Creative Commons