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Título: Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices
Investigadores (DSpace): Montañez Huamán, Liz Margarita 
Palabras clave: Análisis espectroquímico;Temperatura;Luz
Fecha de publicación: feb-2016
Publicado por: Pontificia Universidad Católica del Perú
Technische Universitat ILMENAU
Resumen: En el presente trabajo de investigación se ha estudiado propiedades estequiometrias, estructurales
y de emisión de luz de semiconductor de amplio ancho de banda dopados con terbio. La
difracción de rayos-X en ángulo rasante confirma el estado amorfo de las películas. Los
espectros de absorción infrarroja muestran la formación de óxidos en las películas y la
espectroscopia de foto-electrones de rayos-X revela la formación de oxinitruro de aluminio y
oxicarburo de silicio. Las películas han sido calentadas a temperaturas en el rango de 300 °C a
1000 °C en un horno de rápido procesamiento térmico. De acuerdo con el análisis de las medidas
de fotoluminiscencia, la intensidad más alta de emisión de luz del terbio es para películas que
tengan concentraciones de terbio mayores al 1at% y a una temperatura de tratamiento térmico de
alrededor de 400 °C. Adicionalmente, las películas analizadas han sido usado como capas activas
para el diseño de dispositivos electroluminiscentes.
Repositorio: http://hdl.handle.net/20.500.12390/233
http://tesis.pucp.edu.pe/repositorio/handle/123456789/6999
Derechos: info:eu-repo/semantics/openAccess
Procedencia:Tesis de maestría

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